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- 2014 年度
イベント開催のご案内
- [日 時]
- ２０１５年２月１０日（火） １３時００分 ～ １８時００分
- [場 所]
- 九州大学応用力学研究所 ６階多目的交流室（W601） （MAP ⑨）
- [主 催]
- 九州大学応用力学研究所
- [世話人]
- 田中 悟（九大院工 エネルギー量子工学部門）
- 13:00 ～ 13:05
-
はじめに
田中 悟（九大院工）
- 13:05 ～ 13:35
-
エピタキシャル銅系触媒上でのグラフェンの成長ダイナミクスと層数制御
吾郷 浩樹 准教授（九大先導研）
- 13:35 ～ 14:05
-
CVD グラフェンの結晶粒界の可視化と界面制御による機能化
日比野 浩樹 氏（NTT 基礎研）
- 14:05 ～ 14:15
- 休 憩
- 14:15 ～ 14:45
-
グラフェンにおけるバレー反対称ポテンシャルの理論
佐々木 健一 氏（NTT 基礎研）
- 14:45 ～ 15:15
-
グラフェン / SiC 表面の酸化による電子状態変化
碇 智徳 准教授（宇部高専）
- 15:15 ～ 15:45
-
SiC 上エピタキシャルグラフェン形成機構と制御指針
影島 愽之 教授（島根大学院工）
- 15:40 ～ 16:00
- 休 憩
- 16:00 ～ 16:30
-
SiC ファセット上の擬 1 次元グラフェン構造
梶原 隆次 , 田中 悟（九大院工）
- 16:30 ～ 17:00
-
SiC 上グラフェンの伝導測定
神田 晶申 准教授（筑波大院物質科学）
- 17:00 ～ 17:30
-
SiC 巨大ファセット上のグラフェンの π バンドおよび STM 観察
小森 文夫 教授（東大物性研）
[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]
