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- 2013 年度
イベント開催のご案内
- [日 時]
- 2014年1月24日(金)13時00分 ~ 17時00分
- [場 所]
- 九州大学大学院工学研究院 伊都キャンパス・ウエスト2号館921号室 (MAP)
- [世話人]
- 田中 悟(九大院工 エネルギー量子工学部門)
- 13:00 ~ 13:05
-
はじめに
田中 悟(九大院工)
- 13:05 ~ 13:35
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グラフェン上窒化物半導体単結晶成長の現状
橋本 明弘 氏(福井大学院工)
- 13:35 ~ 14:05
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準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態抽出
碇 智徳 氏(宇部高専)
- 14:05 ~ 14:55
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グラフェンにおけるプラズモン伝搬のシミュレーション
佐々木 健一 氏(NTT 基礎研)
- 14:55 ~ 15:10
- 休 憩
- 15:10 ~ 15:40
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Cu表面におけるグラフェンの形成過程と面配向依存性
林 賢二郎 氏(AIST/富士通研究所)
- 15:40 ~ 16:10
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グラフェン/BNヘテロ構造の作製と評価
日比野 浩樹 氏(NTT基礎研)
- 16:10 ~ 16:40
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透過型電子顕微鏡によるSiC表面上グラフェンの結晶学的研究
乗松 航 氏(名大院工)
- 16:40 ~ 17:10
-
SiC上のグラフェンナノリボンのバンドギャップ形成
小森 文夫 氏(東大物性研)
- 17:10 ~ 17:30
-
田中研の最近の話題/グラフェンナノリボン,Siインターカレーション
梶原 隆次 / 田中 悟(九大院工)
[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]