国立大学法人九州大学 応用力学研究所

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寒川教授の編集・執筆された著書(窒化物半導体の薄膜成長モデル関連)が Springer 社から出版

2018.05.02

寒川義裕教授(新エネルギー材料工学分野)の編集・執筆された、窒化物半導体エピタキシーにおける計算科学に関する著書が、Springer 社から出版されました。

 
書籍情報
Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach,
T. Matsuoka, Y. Kangawa (eds.), Springer series in materials science, 269, Springer, 2018.4.
(ISSN 0933-033X)
   
 
 

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